从 InP 紧缺看 1.6T 光模块：硅光路线的供给优势正在凸显
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正文：
最近看到一段来自国内头部券商通信/光通信方向首席与产业人士的交流纪要（备注：这份纪要是我的大佬朋友与国内顶级某券商首席的1对1会议内容，并非小作文，绝对保真，当然，我也不排除该首席的数据是否100%正确，但是至少值得重视和参考）
部分会议内容节选：
其中提到：在相同 4 英寸 InP 衬底、50% 良率假设下，如果切 CW 激光器，大概可以切出 5000 颗；但如果切 EML，可能只能切出 几百颗。
这类产业口径未必能直接等同于严格的财务模型，但它提供了一个非常直观的观察角度：在 1.6T 光模块放量阶段，上游 InP 衬底的利用效率，可能会成为影响实际交付能力的重要变量。
以往市场讨论光模块，更多聚焦下游需求，比如数据中心资本开支趋势、800G/1.6T 订单放量情况，以及云厂商采购节奏等。但从产业链上游看，在需求增长较为明确的情况下，实际出货能力越来越受上游供给侧约束。
其中，磷化铟，也就是 InP 衬底，是值得关注的关键材料之一。
InP 衬底是高速光芯片的重要基础材料。无论是传统 EML 方案，还是硅光方案中使用的外部连续波 CW 激光光源，都需要 InP 衬底作为外延生长基底。因此，InP 供给状况会直接影响 1.6T 光模块的整体交付能力。
一、InP 供给紧张对 1.6T 光模块产量的影响
1.6T 光模块的供应链涉及 EML 或 CW 光源、DSP、驱动器、TIA、PCB 以及封装测试等多个环节，InP 衬底是光芯片部分的关键上游材料。
高端光通信级 InP 衬底产能相对集中，扩产周期较长，通常需要 12–18 个月，涉及设备采购、工艺调试、良率爬坡以及专业人才等问题，短期内新增产能释放有限。
此外，美国上市公司 AXTI，其中国子公司通美为主要产能所在地，在 2026 年 1 月公告下修 2025 年 Q4 收入预期，主要原因是中国商务部 InP 出口许可发放数量低于预期。随后在 Q4 电话会议中，公司也提及了出口许可对交付节奏的影响。
需要说明的是，AXT 的出口许可问题并不是最近几天才出现的新消息，股价层面可能已经被市场部分消化；但它对产业层面的意义在于，验证了 InP 衬底确实已经成为高速光模块放量中的重要供给约束。
二、InP 紧缺对 EML 方案的影响会被模块架构进一步放大
在传统 EML 方案中，1.6T 光模块常见路径是 8×200G 架构，对应需要 8 颗 200G EML 集成芯片。EML 是激光器与调制器一体的器件，结构较为复杂，芯片面积较大，工艺难度较高，对 InP 衬底的消耗也相对更多。
这意味着，InP 紧缺对 EML 方案的影响，不只是单颗芯片层面的影响，还会被模块架构进一步放大。
这导致 EML 路线在供给紧张环境下面临几方面压力：
第一，单模块 InP 材料消耗更高。
1.6T EML 方案通常需要多颗 200G EML 芯片，同等 InP 资源下，能够支撑的模块数量会受到明显限制。
第二，集成工艺对良率要求更高。
EML 将激光器和调制器集成在一起，工艺复杂度高，良率波动会直接影响可交付数量。
第三，上游扩产弹性相对有限。
InP 衬底、外延以及 EML 芯片产能，都不是短期内可以快速放大的环节。
第四，出口许可的不确定性可能放大跨境供应链风险。
如果部分海外客户依赖跨境 InP 衬底或相关器件供应，出口许可节奏也可能影响交付。
因此，如果在 1.6T 阶段过度依赖 EML 方案，在 InP 资源有限的情况下，产量可能受到材料供给、芯片良率和模块架构三方面共同制约。
三、硅光 + CW 方案的相对优势：不仅单颗器件省 InP，模块层面差距更明显
硅光方案并非完全不使用 InP。
在硅光方案中，InP 主要用于外部 CW 激光光源，而调制功能主要由硅基平台完成。
这与 EML 方案存在本质差异：EML 将激光和调制集成在 InP 芯片上，而硅光则让 InP 主要承担发光功能，调制部分转移至硅基，从而提高了 InP 衬底的整体利用效率。
根据上述首席调研纪要，在相同 4 英寸 InP 衬底、50% 良率假设下，切 CW 激光器可产出约 5000 颗芯片，而切 EML 芯片的数量则明显少得多，可能只有几百颗。
这组数据本身已经很有冲击力。它说明，在单颗器件层面，CW 激光器对 InP 衬底的消耗强度，可能显著低于 EML 芯片。
但更关键的是，到了 1.6T 模块层面，差距还会被进一步放大。
1.6T EML 方案通常需要 8 颗 200G EML 芯片；而硅光方案中，InP 主要用于外部 CW 光源，具体 CW 数量取决于模块设计、光源功率、冗余方案和封装路径，但通常是少数 CW 光源，而不是像 EML 那样每个高速通道都对应一颗复杂的 InP 调制激光器。
如果用一个简化模型理解：
8 颗 EML 对比 1 颗 CW，再叠加单颗 EML 与 CW 在 InP 衬底利用效率上的差异，那么模块层面 EML 对 InP 的消耗强度，会显著高于硅光 + CW 方案。
这里不需要把它机械地换算成精确倍数，因为实际结果还取决于模块架构、CW 数量、功率要求、封装方式和良率口径。但方向非常清楚：
硅光 + CW 的优势，不只是“单颗器件更省 InP”，而是在整个 1.6T 模块层面都具备明显的材料效率优势。
这意味着，在 InP 供给约束下，硅光方案能够以相对更少的 InP 资源，支撑更多 1.6T 模块出货。
这也是硅光在 1.6T 阶段最值得重视的地方：它不仅是技术路线变化，更是供给效率的提升。
四、中际旭创在 1.6T 硅光方案上的布局
中际旭创作为全球主要光模块厂商之一，近年来持续推进硅光方案。在 800G 产品中，公司已经实现硅光方案的大规模出货，1.6T 硅光产品也在稳步推进。
在当前 InP 供给紧张背景下，其硅光方案有助于降低对上游 InP 材料的整体依赖，提升供应链的稳定性。
同时，产业链反馈显示，中际旭创部分硅光方案所使用的 CW 光源，主要由国内供应商源杰科技配套。这一点有助于在一定程度上规避部分跨境出口许可环节的不确定性，使供应链相对更可控。
当然，源杰科技的 CW 激光器本身仍需 InP 衬底和外延工艺，国内整体 InP 供给紧张也会对产业链产生间接影响。
但相比高度依赖海外 InP 衬底、海外 EML 芯片或跨境许可链条的路径，中际旭创的 硅光 + 国内 CW 配套组合，在供应链韧性上具有一定相对优势。
所以，中际旭创的硅光优势：
第一，硅光路线可以提高 InP 利用效率；
第二，1.6T 硅光方案在模块层面对 InP 的消耗强度显著低于 EML 方案；
第三，CW 光源国内配套让供应链更可控；
第四，800G 硅光已经规模化落地，1.6T 硅光也在持续推进；
第五，在 InP 紧缺和出口许可扰动下，龙头交付优势可能进一步放大。
五、总结
InP 供给约束是当前 1.6T 光模块产业面临的重要因素之一。它可能加速行业在技术路线和供应链管理上的分化。
对于不同厂商而言，应对方式存在差异：部分厂商高度依赖 EML 路线，可能面临更大的材料和交付压力；而具备硅光规模化能力、且 CW 光源供应链相对稳定的龙头光模块厂商，在资源有限环境下可能展现出更好的交付弹性。
从中际旭创的情况看，其硅光方案布局已在 800G 实现落地，1.6T 也在推进，这为其在当前环境下稳定交付 1.6T 产品提供了支撑。
未来，随着 6 英寸 InP 衬底爬坡、多家厂商扩产项目落地以及技术方案进一步优化，供需状况有望逐步改善。但短期紧张格局仍将影响 1.6T 放量节奏。
总体而言，1.6T 光模块的竞争力不仅体现在订单获取上，也体现在如何高效利用有限的上游资源，并保障稳定交付的能力。
从这个角度看，硅光能力不只是技术路线选择，而是 1.6T 放量阶段的供给能力和供应链韧性问题。
$中际旭创(SZ300308)$ $新易盛(SZ300502)$ $源杰科技(SH688498)$
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