AI光通信不是向硅光演进，而是向PIC演进

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本文核心旨在阐明光通信演进的底层逻辑：“硅光”只是实现手段之一，而PIC（光子集成电路）才是真正的终极形态。

在光通信领域，人们常将“硅光”等同于下一代技术，但从产业演进逻辑来看，硅光只是实现路径，PIC的本质是光子器件的“集成电路化”，彻底颠覆了传统分立器件的“手工装配”模式，其优势是结构性的跨代超越，主要体现在三个维度。

一、是光源架构变革，实现光源“一拖多”。

传统离散模块中，激光器（DFB）与调制器“一对一”绑定，通道数增加会导致激光器数量、功耗和散热压力线性增长。

PIC通过片上波导技术实现光源与调制解耦，一个高功率激光器可作为公共光源，经分光供给多路调制器，这样减少了激光器总数，又防止了热集中导致波长漂移和系统功耗。

二、是封装变革，从“空间耦合”转向“固态波导”。

光模块60%以上加工成本消耗在精密封装，离散方案依赖精密对准，通道增加会使组装复杂度几何级提升。PIC将光路“刻蚀”在芯片内，把几十次精密空间对准转化为单次光纤阵列耦合，锁定生产良率，规避热胀冷缩或振动导致的光路失调，可靠性大幅提升。

同时由于集成度的提升，模块的尺寸整体变小，走线变小，也有利于高速场景下的高频信号质量。

三、是制造工艺变革，实现晶圆级测试的规模效益

离散器件需封装完成后才能检测性能，失败则浪费封装材料与人工。PIC可在晶圆阶段用自动探针台筛查光电性能，切割封装前剔除不良品，类比集成电路生产模式，随产量爬坡实现单颗芯片成本指数级下降。

综上，PIC相较于传统离散器件模块，优势呈现为结构性跨代超越，所以在硅光PIC和EML 对比的时候，可制造性、功耗、成本等领先，EML只有性能领先。所以$中际旭创(SZ300308)$ 中际旭创、$新易盛(SZ300502)$ 新易盛等吃到了硅光的红利。

但是InP 也可以做PIC，InP PIC多路集成也能吃到上面三个方面的红利，$东山精密(SZ002384)$ 东山精密/索尔思的InP PIC就是一个例子：

这种InP PIC的做法，同样可以极大的减少封装、耦合的成本。性能还非常好，获得了Lightwave 2026 LPO/LRO best in class 大奖。

当然这个InP PIC里面还有些高成本因素：

InP 的成本比较贵，做功分这种无源器件, MZM 自身尺寸问题等。成本高；所以InP MZM 在早期应该还是主要应用在价值高的场景：LPO@DR8、LRO@2xFR4 以及OCS场景。

但是InP PIC 自身还有很多低成本演进路径：

（1）6英寸晶圆；

（2）ER控制在4.5dB；

（3）DFB外置；

（4）功分器件使用低成本SiN 辅助等，只在最重要的调制器上使用InP 工艺。

有人会问，良率如何控制，其实核心在于：把DFB进行了剥离后，MZM和EAM的良率都会有大幅的提升：

(1) MZM的良率控制在上篇文章已经提到：通过ER 4.5dB，带宽冗余等方式实现良率的大幅提升；

(2) EAM的良率控制思路也是类似的，主要少了DFB 的掣肘，没有DFB和EAM 的端面衔接问题，良率也会大幅提升；频宽没有了DFB 的电容耦合影响，频宽也容易突破110GHz。

(3) 从生产制造上，外延次数也会减少，成本也会有大幅的优化：

外延生产总结对比：

总结:

(1)通信技术是以性能为基础、成本、功耗等多维度约束的技术。

(2)随着速率的不断提升，客观上要求光模组小尺寸，高集成。硅光因为与CMOS兼容，天生容易做高集成；InP 平台因为晶圆成本和思维定式的原因，在100G时代没有拥抱PIC这个架构。

(3)而在200G 时代InP PIC 已经开发发力，索尔思的InP PIC 已经商用，性能、功耗相对于硅光和EML非常有优势，相信会有更多的公司会不断推出新架构的InP PIC产品，在高性能、高线性、OCS等场景发挥独特的优势。

简单总结一句话：

光通信的演进不是硅光，而是适合不同场景需求的更高集成度的PIC：硅光PIC、InP PIC、TFLN PIC

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