武汉硅光大会（下）

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今天先来分析一下英伟达财报。

英伟达 Q1 FY2027 收入 816亿美元，同比+85%、环比+20%；数据中心收入 752亿美元，同比+92%、环比+21%。更关键的是，数据中心的networking 收入 148亿美元，同比+199%、环比+35%，增速明显。说明 AI 服务器增长之外，网络连接价值量正在加速提升。

这次最重要的不是总收入超预期，而是 networking 收入同比接近 3 倍。未来 AI 集群从几万卡走向几十万卡，瓶颈不只是算力，而是 GPU/XPU 之间、机柜之间、数据中心之间的互联带宽。

产品周期缩短带来行业高壁垒，英伟达保持着一年一次的迭代节奏，导致光模块迭代周期变短。这意味着研发速度快、良率高、能率先拿到英伟达认证并具备大规模量产能力的头部“卖铲人”，将占据绝大部分的核心份额，行业龙头效应进一步加强。

随着NV networking的增速持续上升，高速交换机、GPU baseboard、加速卡、背板、正交背板等需求会更强。胜宏的关键变量是 AI 服务器/交换机高层数、高速材料、正交背板进展。

从下面大摩的图可以看出，VR200网络部分价值量的增幅均超过 120%，表明 VR200 在系统级的高速互联和带宽上有了质的飞跃。NVLink 交换芯片从 $64,800 增加到 $144,000，增幅 122%。其他网络芯片从 $261,000 增加到 $576,000，增幅 121%。交换机和网络芯片成本同步翻倍。这意味着为了支撑更庞大的内存和更强的显存吞吐，英伟达在全机柜互联带宽（可能是更先进的 NVLink 升级）上投入了成倍的硬件成本，这里面就包含了光模块。

芯片性能的暴涨对承载它们的物理载体提出了更高的要求。 PCB 从 $35,100 增至 $116,730，增幅达 233%。属于非芯片类中增幅极高的一个环节。由于高频高速信号传输的需要，VR200 必然采用了层数更多、材料更高端、工艺更复杂的超高多层板或 HDI 板。

接着继续武汉硅光大会下午的内容

一、阿里云 高级硬件系统架构师 鲍赟 《AI 算力爆发下的光互联革命：硅光与薄膜铌酸锂的演进之路》

1.传统铜互联已无法满足需求，光互联成为必然选择。

2. 2026年800G硅光方案占50%-60%，1.6T占70%-80%。

3.硅光优势

4.对于400G来说，就单波400G的话，硅光来说会有挑战，但是目前我们看那个硅光，它的带宽，有望可以达到100G赫兹，对硅光芯片来说，对于单波400G的话，它大概率也是可以解决。外还有一条路呢，就是薄膜尼酸锂路线，薄膜尼酸锂它有个很大的优势，就是它超高带宽，然后低电压驱动，以及它的高线性度，非常容易达到100GHZ以上，实验室甚至可达400GHZ。铌酸锂低电压驱动，功耗会比纯硅光方案略低，同时高线性度实现超高速率，信号不宜失真。

5. 对 mpd 来说，这是硅光的一大优势，因为硅光是高集成度，硅光芯片可以把MPD、PD可以集成在上面。那薄膜尼酸锂目前是不行，所以这个呢话会导致什么呢？如果是对于3.2T和6.4T的NPO来说，你如果是薄膜尼酸锂上你要集成那么多MPD的话，这就是一大挑战。

6.目前现阶段NPO是一个比较好的解决方案，可适合批量部署。

7.对于NPO先进封装是一个必选项。

8.目前硅光是性价比最高的主流选择，不管对于800G、1.6T、3.2T。目前硅光是可以大概率搞定400G/Lane。 未来异质集成有望成为终极形态。

二、飞思灵微电子 首席专家 曹全 《薄膜铌酸锂的下半场，从性能突破到产业量产的工程跨越》

1. 薄膜铌酸锂的一些缺陷：

2.量产能力未得到验证

3. 铌酸锂的成本困局，目前无法回答批量以后成本是多少。

4. 虽然有些缺陷，但它是高速相干调制器最好的选择之一

5. TFLN的性能三角全领先，它的问题不是物理问题是可以被解决的

三、icc 讯石研究院高级分析师 吴娜 《高速光接入网激光器技术》

1.因为云厂商的开支上调，目前光模块数量较年初进行了上修

2.目前EML芯片供应紧张，但lite就说到今年年底的时候，整月产能会同比增长百分之五十，然后COHERENT他们的一个扩产的计划也是提前一个季度翻了一倍，预计明年会再翻一倍，预期今年年底EML会有所缓解。二线厂商获得eml芯片面临更大的压力

3 硅光成本优于EML,因为大幅减小激光器用量，1.6T硅光成本优势进一步扩大。

4.硅光光模块渗透率在加速，国外投行大多对硅光未来都是十分看好的

5.硅光改变产业结构

$中际旭创(SZ300308)$ $新易盛(SZ300502)$ $胜宏科技(SZ300476)$

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