EML vs 硅光 那种方案需要的InP 晶圆多？
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(2) EML 方案
EML的DFB输出后有两个插损：EAM 和DFB 的衔接插损和与光纤的耦合插损总共1dB。
同样EML 的DFB 部分的输出功率需求为：(-3dBm + 1 + 3) = 1dBm 约为1mw; 预留6dB的工程余量，DFB的输出功率需求为4mw；
二、 芯片物理结构与尺寸拆解
在 InP 晶圆上，芯片的“占地面积”由功能区及必要的工艺间距决定。
三、 功率需求差异与设计限制
心细的球友一定发现了一个有意思的事：
(1)cw-DFB 的DFB 长度为1000um, 输出功率为100mw, 每100um 长度输出功率为10mw
(2)EML 的DFB 长度为300um，输出功率为4mw, 每100um 长度输出的功率仅为1.33mw
为什么有这么大的差异，这主要是两种方案对 DFB 区的功率诉求完全不同，这直接导致了芯片设计的不可通用性。
1. CW-DFB：高功率驱动“1分多”
需求：在硅光方案中，单颗 CW-DFB 需要通过 1:4 分束供给 4 个调制通道。为补偿硅光芯片的耦合与调制损耗，其输出功率需达到 100mW 级。
实现：必须采用 1000μm 的超长增益区，通过增大活性区体积来承载大电流注入，工作在高温区间，确保高光强产出。
2. EML：中低功率维持信号质量
需求：EML 采用 1 对 1 模式，DFB 仅需向自带的 EAM 区供光，典型输出功率仅需 4mw左右。
为什么 EML 不能借用 CW-DFB 的设计？
核心原因是DFB的热畸变：100mW 级的长腔工作在高温状态，DFB 发热密度极大，会直接使相邻的 EAM 调制区产生严重的谱线偏移，导致消光比恶化。所以EML 的DFB 不能借用cw-DFB的设计。
三、 引入良率后的产能量化（基于 2 英寸晶圆）
在 2 英寸晶圆（有效面积约 1600 mm2）上，结合良率与 800G DR8 端口需求进行最终测算：
1. 理论与合格芯片产出 (KGD)
· EML 方案 (良率 70%)：
o 由于集成了调制器且需多次外延（SAG）工艺，良率较低。
o 理论颗数：8,500 颗 实际合格芯片 = 8500 x 70% =5,950 颗。
· CW-DFB 方案 (良率 90%)：
o 结构单一，不含敏感调制区，工艺成熟，良率极高。
o 理论颗数：3,800 颗, 实际合格芯片 = 3,800 x 90 % = 3,420 颗。
2. 最终 800G DR8 端口支撑量
· EML 方案：
o 每模组需 8 颗芯片 可支撑端口数 = 5950/ 8 ~= 743 个。
· CW + 硅光方案：
o 每模组仅需 2 颗芯片（1 : 4 共享）,可支撑端口数 = 3420 /2 = 1,710个。
四、 结论
分析表明，针对 8x100G DR8 模组，EML 方案对InP 晶圆的需求是硅光方案的2.3 倍。
本方案仅为粗略的技术分析，作为参考，相关数据和指标来自于网络和个人过往经验。
$东山精密(SZ002384)$ $云南锗业(SZ002428)$ $Lumentum控股(LITE)$
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